高纯石墨的导电性能与其独特的层状晶体结构存在直接关联。在理想晶体中，碳原子以sp²杂化形成蜂窝状六元环，层内碳碳键长约0.142nm，键能高达524kJ/mol，这种强共价键结构为电子迁移提供了通道。而层间距0.335nm的范德华力作用，使得不同基面间的电子传输需要克服更高能垒，这种各向异性特征导致其面内电导率通常比垂直方向高出3个数量级。

　　晶体缺陷对导电性能的影响不容忽视。实验数据显示，当石墨纯度从99%提升到99.99%时，其室温电阻率可降低约40%。这是因为杂质原子会破坏sp²杂化轨道的连续性，形成载流子散射中心。特别值得注意的是，晶界处的悬空键会捕获自由电子，这也是工业上通过高温石墨化处理(2800℃以上)来修复晶体缺陷的理论依据。

　　温度因素对导电行为呈现双重效应。在250K以下温度区间，石墨表现出金属导电特性，电阻率随温度升高而增大;超过该临界温度后则转为半导体特性，这与声子散射主导的载流子迁移机制有关。航空航天领域应用的超细颗粒石墨材料，其室温电阻率可控制在8-12μΩ·m范围，这种稳定性得益于高度取向的晶体结构。

　　现代表征技术为研究提供了新视角。同步辐射X射线衍射证实，经过区域熔炼提纯的石墨样品，其(002)晶面衍射峰半高宽可比常规材料缩小30%，对应着更完整的晶体周期性结构。扫描隧道显微镜观测则直观展示了石墨烯层边缘的电子态密度分布，这些微观观测数据为理解宏观导电性能差异提供了理论基础。

　　在半导体制造装备中，高纯石墨部件的电阻均匀性直接影响工艺稳定性。实际应用时需综合考虑晶体取向、颗粒尺寸和热处理历史等因素，例如轴向热解石墨由于特殊的生长方式，其面内电阻率各向异性比可达到1:5.这种特性在特定电磁场环境下具有应用价值。